EM-FA2 Ver1.0 製作手順


　公開回路図
　公開部品表

　公開情報では一部情報非公開となります。
　送付する基板裏面にパスワードが記載されております。
　下記、製作資料をクリックしパスワード入力して下さい。
　黒塗り部分にパスワード記載

　製作資料

　現在（2021/06）入手可能な品で設計したアンプです。

　掲載している写真では、試作時の写真です。
　配布品以外の部品が実装されている場合があります。
　添付部品は、写真と同等性能な他品の場合があります。
　定数等変更している箇所があります。
　添付部品は、部品表を確認願います。

　本品は、最大限初心者でも組立出来るよう配慮した品です。
　ただし、不動時は回路図を理解が必要です。
　当方は自分用で動作確認済みで、回路図通り組立てれば動作します。
　不動時は、ご自身の力で解決願います。

　初心者を対象に組立順序を記載しております。ベテランはお好きに！　

　組立
　背の低い部品より取り付けしていきます。
　TR,FETなど方向、極性に注意して実装します。
　

　入出力端子には、JSTのVH又はXHコネクターが実装可能です。
　

　電源には下記仕様品を接続願います。
　電源は、±15V　200mA以上 ｘ ２　を用意下さい。

　動作確認
　電源投入前に部品実装、間違えがないか確認。
　・接続、実装ミスが無いか確認して電源ONします。
　各部電圧は、回路図に記載している値＋−１０％程度ならOKです。
　
　調整
　本機には、半固定抵抗調整個所があります。
　回路図内記載の方法で調整します。

　終段MOS-FETのアイドリング電流は、10-100mAの範囲で調整します。
　アイドリング電流が多ければA級動作範囲が大きくなりますが、その分発熱も大きくなります。
　100ｍAでも手で触れる熱さです。

　最低上記を行ってからアンプ等と接続願います。

　電源ON時にポップノイズ出ます。
　ヘッドフォンアンプとして使用する場合、注意願います。

　参考情報　
　・試作品での特性
　下記値は、基板単体でケースに入れていない状態での値です。
　金属ケースに入れれば多少変わります。
　

　　１ＫＨｚ利得　約15.6dB
　　Ｓ／Ｎ　約102dB
　　
　　負荷100KΩ時
　　周波数特性グラフ
　　入出力特性グラフ
　　ひずみ率特性グラフ　

　　負荷16Ω時
　　周波数特性グラフ
　　入出力特性グラフ
　　ひずみ率特性グラフ